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湖南貿(mào)易西門康可控硅模塊值得推薦

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可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷;實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用??煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多??煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個極----陽極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié),與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)??煽毓钁?yīng)用時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。湖南貿(mào)易西門康可控硅模塊值得推薦

西門康可控硅模塊

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時,即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,E接成正向,而觸動發(fā)信號是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了??煽毓柽@種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,此條件見表1應(yīng)用舉例:可控硅在實際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路,概括起來有直流觸發(fā)電路,交流觸發(fā)電路,相位觸發(fā)電路等等。1、直流觸發(fā)電路:如圖2是一個電視機(jī)常用的過壓保護(hù)電路,當(dāng)E+電壓過高時A點(diǎn)電壓也變高,當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時DZ道通,可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,使保險絲RJ熔斷,從而起到過壓保護(hù)的作用。2、相位觸發(fā)電路:相位觸發(fā)電路實際上是交流觸發(fā)電路的一種,如圖3,這個電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號的相位。當(dāng)R值較少時,RC時間常數(shù)較少,觸發(fā)信號的相移A1較少,因此負(fù)載獲得較大的電功率;當(dāng)R值較大時,RC時間常數(shù)較大,觸發(fā)信號的相移A2較大。江蘇品質(zhì)西門康可控硅模塊工廠直銷小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。

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可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極:第1層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

1可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個電極,陽極a,陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。21、可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹:可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、等各類電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能,并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。32、可控硅模塊的控制方式:通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號,通過調(diào)整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。43、滿足可控硅模塊工作的必要條件:(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±,紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>,標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V>1A。5??煽毓枘K通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。

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可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展??煽毓枘K是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個電極,陽極a,陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。江蘇品質(zhì)西門康可控硅模塊工廠直銷

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。湖南貿(mào)易西門康可控硅模塊值得推薦

答;可控硅有兩種叫法,精細(xì)一點(diǎn)叫晶閘管。常用的電力半導(dǎo)體器件有;普通可控硅(SCR)、門極(GTO)關(guān)斷可控硅、電力可控硅(GTR)、電力MoS場效應(yīng)晶體管(MosFET)、絕緣柵雙極型晶體管、(lGBT)、Mos柵控可控硅等等。可控硅模塊;是根據(jù)不同的用途與技術(shù)要求,將單向可控進(jìn)行組合。兩只單向可控硅的串聯(lián)(一只的陽極A與另一只的陰極K相接)這樣就組成了一個可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯(lián)(就是一只的陽極A與另一只的陰極K聯(lián)接,另一端點(diǎn)一只陰極k與一只陽極A相接)組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調(diào)壓電路中。例如軟啟動器中改變電壓控制電動機(jī)啟動的電路中。無論是什么結(jié)構(gòu),它們的控制端都是由陰極K與門極G有二根線引出來控制的。下面簡述一下GT0門極可關(guān)斷可控硅的組成。見下面圖門極可關(guān)斷晶閘管簡稱可關(guān)斷晶閘管,用GTO表示。它是一種耐高電壓大電流全控器件。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結(jié)構(gòu)與普通可控硅ScR類似,它的三個極也是陽極A、陰極k、門極G。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號如上圖所示。其陽極伏安特性如下圖所示。當(dāng)陽極加有正電壓、陰極加有負(fù)電壓時。湖南貿(mào)易西門康可控硅模塊值得推薦

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