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無錫真空鍍膜工藝

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真空鍍膜:離子鍍:離子鍍基本原理是在真空條件下,采用某種等離子體電離技術(shù),使鍍料原子部分電離成離子,同時產(chǎn)生許多高能量的中性原子,在被鍍基體上加負(fù)偏壓。這樣在深度負(fù)偏壓的作用下,離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電,使鍍料(如金屬鈦)氣化蒸發(fā)離子化,離子經(jīng)電場加速,以較高能量轟擊工件表面,此時如通入二氧化碳、氮?dú)獾确磻?yīng)氣體,便可在工件表面獲得TiC、TiN覆蓋層,硬度高達(dá)2000HV。離子鍍技術(shù)較早在1963年由D。M。Mattox提出。1972年,Bunshah&Juntz推出活性反應(yīng)蒸發(fā)離子鍍(AREIP),該方法可以沉積TiN、TiC等超硬膜。1972年Moley&Smith發(fā)展完善了空心熱陰極離子鍍,1973年又發(fā)展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀(jì)80年代又發(fā)展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。離子鍍是物理的氣相沉積方法中應(yīng)用較普遍的一種鍍膜工藝。真空鍍膜的操作規(guī)程:把零件放入酸洗或堿洗槽中時,應(yīng)輕拿輕放,不得碰撞及濺出。無錫真空鍍膜工藝

無錫真空鍍膜工藝,真空鍍膜

為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜,我們通過優(yōu)化工藝參數(shù),制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過理論計算和性能測試,分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn)??紤]Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小,密度以及能達(dá)到均勻化的程度,因為它也直接影響Al膜的其它性能,進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素。無錫真空鍍膜工藝在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或濺射,使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法,稱為真空鍍膜。

無錫真空鍍膜工藝,真空鍍膜

真空鍍膜:反應(yīng)磁控濺射法:反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高,而且成膜過程通常也并不要求對基板進(jìn)行很高溫度的加熱,因此對基板材料的限制較少。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前,通常使用直流濺射電源,因此帶來了一些問題,主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定,沉積速率較低,膜的缺陷密度較高,這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。

真空鍍膜的方法很多,計有:真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達(dá)到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),保持壓強(qiáng)約1。33~13。3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發(fā)輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜?;瘜W(xué)氣相沉積:通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物,獲得沉積薄膜的過程。離子鍍:實質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合,兼有兩者的工藝特點(diǎn)。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):具有優(yōu)良的耐折性和良好的韌性,比較少出現(xiàn)小孔和裂口。

無錫真空鍍膜工藝,真空鍍膜

真空鍍膜:濺射鍍膜:濺射鍍膜是指在真空條件下,利用獲得功能的粒子(如氬離子)轟擊靶材料表面,使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程稱為濺射。在真空條件下充入氬氣(Ar),并在高電壓下使氬氣進(jìn)行輝光放電,可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)。氬離子在電場力的作用下,加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材,靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。被濺射的靶材沉積到基材表面,就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子,一般采用輝光放電獲得,在10-2Pa~10Pa范圍。真空鍍膜中濺射鍍膜有很多種方式。無錫真空鍍膜工藝

真空鍍膜的鍍層質(zhì)量好。無錫真空鍍膜工藝

真空鍍膜:多弧離子鍍:多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍,由于在陰極上有多個弧斑持續(xù)呈現(xiàn),所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點(diǎn)說明:陰極電弧蒸發(fā)離化源可從固體陰極直接產(chǎn)生等離子體,而不產(chǎn)生熔池,所以可以任意方位布置,也可采用多個蒸發(fā)離化源。鍍料的離化率高,一般達(dá)60%~90%,卓著提高與基體的結(jié)合力改善膜層的性能。沉積速率高,改善鍍膜的效率。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單,弧電源工作在低電壓大電流工況,工作較為安全。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。無錫真空鍍膜工藝

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成立于2016-04-07,是一家專注于微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),公司位于長興路363號。公司經(jīng)常與行業(yè)內(nèi)技術(shù)專家交流學(xué)習(xí),研發(fā)出更好的產(chǎn)品給用戶使用。公司業(yè)務(wù)不斷豐富,主要經(jīng)營的業(yè)務(wù)包括:微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多系列產(chǎn)品和服務(wù)??梢愿鶕?jù)客戶需求開發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品,深受客戶的好評。公司與行業(yè)上下游之間建立了長久親密的合作關(guān)系,確保微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)在技術(shù)上與行業(yè)內(nèi)保持同步。產(chǎn)品質(zhì)量按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn),絕不因價格而放棄質(zhì)量和聲譽(yù)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所以誠信為原則,以安全、便利為基礎(chǔ),以優(yōu)惠價格為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)的客戶提供貼心服務(wù),努力贏得客戶的認(rèn)可和支持,歡迎新老客戶來我們公司參觀。

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